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中文同義詞：三氧化二鎵；氧化鎵(Ⅲ)；氧化鎵, 99.999% (METALS BASIS)；氧化鎵, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS)；氧化鎵, 99.995% (METALS BASIS)；氧化鎵, 99.99% (METALS BASIS)；氧化鎵 (METALS BASIS)；
英文同義詞：GALLIUM SESQUIOXIDE；GALLIUM OXIDE；GALLIUM(III) OXIDE；GALLIUM(+3)OXIDE；Digallium trioxide；digalliumtrioxide；Ga2-O3；Gallia；
CAS號(hào)：12024-21-4；
EINECS號(hào)：234-691-7；
相關(guān)類別：鎵金屬和陶瓷科學(xué)；氧化物；催化和無機(jī)化學(xué)；化學(xué)合成；鎵；金屬氧化物；
Mol文件：12024-21-4.mol

物理性質(zhì)
白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點(diǎn)1900℃(在600℃時(shí)轉(zhuǎn)化為β型)。
易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機(jī)酸。
有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。
物性數(shù)據(jù)：
性狀：α-Ga2O3為六方晶型，β-Ga2O3屬于單斜晶型。
熔點(diǎn)（oC）：1740
溶解性：不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。
化學(xué)性質(zhì)
Ga2O3能與氟氣反應(yīng)，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到產(chǎn)物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微熱的稀硝酸、稀鹽酸和稀硫酸中。經(jīng)過灼燒的Ga2O3不溶于這些酸甚至于濃硝酸，也不溶于強(qiáng)堿的水溶液中，只能通過NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。與過量兩倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化鎵。在紅熱時(shí)，Ga2O3與石英反應(yīng)形成玻璃體，但冷卻時(shí)沒有新化合物生成。紅熱時(shí)也能和上釉的瓷坩堝發(fā)生反應(yīng)。
在加熱的條件下，Ga2O3能與許多金屬氧化物發(fā)生反應(yīng)?，F(xiàn)已測(cè)定了堿金屬氧化物反應(yīng)（高于400℃）所得到的鎵酸鹽M(I)GaO2的晶體結(jié)構(gòu)，與Al2O3和Ln2O3一樣，它與MgO、ZnO、CoO、NiO和CuO反應(yīng)能形成尖晶石型的M(II)Ga2O4。與三價(jià)金屬氧化物反應(yīng)的產(chǎn)物M(III)GaO3通常有鈣鈦礦或石榴石型結(jié)構(gòu)（如鑭系鎵酸鹽LnGaO3）。而且有更為復(fù)雜的三元氧化物。人們研究過有關(guān)用于激光、磷光和發(fā)光材料的鎵的混合氧化物。認(rèn)為鎵酸鹽的發(fā)光性質(zhì)歸之于氧的空缺。因?yàn)镕eGaO3有令人感興趣的電磁性質(zhì)（即壓電性和鐵磁性），所以它的合成、穩(wěn)定性和晶體結(jié)構(gòu)已被人們廣泛地研究。
Ga2-xFexO3(x≈1)屬于正交晶體，晶胞參數(shù)是：a=8.75A，b=9.40A，c=5.07A，配位數(shù)為8，熔融溫度是1750℃，密度是5.53g/cm3。NiO·Fe2-xGaxO3的磁性和晶體結(jié)構(gòu)也被研究過。
通常對(duì)水體是稍微有害的，不要將未稀釋或大量產(chǎn)品接觸地下水，水道或污水系統(tǒng)，未經(jīng)政府許可勿將材料排入周圍環(huán)境。
化學(xué)數(shù)據(jù)
1、氫鍵供體數(shù)量：0
2、氫鍵受體數(shù)量：3
3、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：0
4、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：43.4
5、重原子數(shù)量：5
6、表面電荷：0
7、復(fù)雜度：34.2
8、同位素原子數(shù)量：0
9、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量： 0
10、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0
11、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0
12、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0
13、共價(jià)鍵單元數(shù)量：1

安全說明 24/25

WGK Germany 2

RTECS號(hào)LW9650000

TSCA Yes

海關(guān)編碼 28259090

1.向三氯化鎵GaCl₃的熱水溶液中加NaHCO₃的高濃熱水溶液，煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl^-為止，在600℃以上煅燒則得到β-Ga₂O₃。殘留NH₄Cl時(shí)，在250℃就和Ga₂O₃反應(yīng)，生成揮發(fā)性GaCl₃。

2.這是高純Ga₂O₃的制法。以高純金屬Ga為陽極，溶解于5%～20%H₂SO₄溶液里，向溶液加氨水，冷卻，將Ga(NH₄)(SO₄)₂反復(fù)結(jié)晶，在105℃干燥，在過量氧的條件下在800℃灼燒2h，則得到純度為99.99%～99.9999%的產(chǎn)品。

3.稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中，加入高純硝酸，使鎵全部溶解，然后過濾，濾液倒入三頸燒瓶中，移至電爐上蒸發(fā)（在通風(fēng)櫥中進(jìn)行），濃縮到接近結(jié)晶時(shí)，將溶液移置于大號(hào)蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ga（NO₃）₃放在馬弗爐中進(jìn)行灼燒，溫度控制在550℃，灼燒5h，待冷卻后取出成品，得1.2kg高純氧化鎵。

用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。